W25Q64CV
W25Q64CV
W25Q64CV
W25Q64CV
وینباند | WINBOND

تراشه حافظه W25Q64CV

172,100 تومان

  • ظرفیت حافظه : 64 مگابیت
  • استاندارد ارتباطی : SPI
  • ولتاژ کاری : 2.7 الی 3.6 ولت
  • دمای کاری : 40- تا 85 درجه سانتی گراد
تعداد قیمت کاستن
5-10 168,658 تومان 2%
11-89 165,216 تومان 4%
90+ 158,332 تومان 8%
شناسه محصول: M256 دسته:,,
توضیحات

آی سی حافظه W25Q64CV یک نوع فلش حافظه نیمه هادی است که توسط شرکت Winbond تولید می‌شود. این نوع حافظه بر اساس تکنولوژی فلش NAND عمل می‌کند و از رابط SPI (Serial Peripheral Interface) برای ارتباط با میکروکنترلرها یا دیگر دستگاه‌ها استفاده می‌کند. در زیر، برخی از ویژگی‌های این آی سی حافظه ذکر شده است:

  1. ظرفیت حافظه:
    • W25Q64CV دارای ظرفیت 64 مگابیت (8 مگابایت) است.
  2. رابط ارتباطی:
    • این آی سی از رابط SPI با سرعت انتقال داده‌های بالا (حداکثر 104 مگاهرتز) برخوردار است.
  3. ولتاژ تغذیه:
    • ولتاژ تغذیه معمولاً بین 2.7 تا 3.6 ولت است.
  4. قابلیت حذف و نوشتن:
    • دارای قابلیت حذف و نوشتن بخش‌های مختلف حافظه است.
  5. دمای عملیاتی:
    • معمولاً در بازه دمایی -40 تا +85 درجه سانتی‌گراد عمل می‌کند.
  6. پشتیبانی از حالت خواندن پیوسته:
    • این حافظه از حالت خواندن پیوسته (Continuous Read) نیز پشتیبانی می‌کند.
  7. حالت حفاظت نوشتن:
    • ویژگی‌های حفاظتی برای جلوگیری از نوشتن تصادفی در حالت‌های خاص.
  8. کاربردها:
    • معمولاً در دستگاه‌های الکترونیکی، محصولات IoT، میکروکنترلرها و سیستم‌های دیجیتال مورد استفاده قرار می‌گیرد.

توصیه می‌شود که برای اطلاعات دقیق‌تر و استفاده از ویژگی‌های مختلف این آی سی، دیتاشیت (Datasheet) مربوط به W25Q64CV از وب‌سایت رسمی شرکت Winbond مطالعه شود.

یکی از جایگزین‌های مشابه برای آی سی حافظه W25Q64CV می‌تواند آی سی حافظه MX25L6433F باشد. هر دو آی سی از نوع فلش حافظه نیمه هادی با رابط SPI هستند و توسط شرکت Macronix تولید می‌شوند. در زیر، برخی از ویژگی‌های MX25L6433F ذکر شده است:

  1. ظرفیت حافظه:
    • MX25L6433F دارای ظرفیت 64 مگابیت (8 مگابایت) است، مانند W25Q64CV.
  2. رابط ارتباطی:
    • این آی سی از رابط SPI پشتیبانی می‌کند با سرعت انتقال داده بالا.
  3. ولتاژ تغذیه:
    • ولتاژ تغذیه معمولاً بین 2.7 تا 3.6 ولت است، همانند W25Q64CV.
  4. قابلیت حذف و نوشتن:
    • MX25L6433F دارای قابلیت حذف و نوشتن بخش‌های مختلف حافظه است.
  5. دمای عملیاتی:
    • معمولاً در بازه دمایی -40 تا +85 درجه سانتی‌گراد عمل می‌کند.
  6. پشتیبانی از حالت خواندن پیوسته:
    • این حافظه از حالت خواندن پیوسته (Continuous Read) نیز پشتیبانی می‌کند.
  7. حالت حفاظت نوشتن:
    • ویژگی‌های حفاظتی برای جلوگیری از نوشتن تصادفی در حالت‌های خاص.
  8. کاربردها:
    • همانند W25Q64CV، MX25L6433F نیز در دستگاه‌های الکترونیکی، محصولات IoT، میکروکنترلرها و سیستم‌های دیجیتال مورد استفاده قرار می‌گیرد.

توصیه می‌شود که برای اطلاعات دقیق‌تر و استفاده از ویژگی‌های مختلف این آی سی، دیتاشیت (Datasheet) مربوط به MX25L6433F از وب‌سایت رسمی شرکت Macronix مطالعه شود.

تکنولوژی‌های حافظه نیمه هادی متنوعی وجود دارند، که هر کدام با ویژگی‌ها و کاربردهای خاص خود شناخته می‌شوند. در زیر، انواع مهم تکنولوژی‌های حافظه نیمه هادی را نام برده‌ام:

  1. NAND Flash Memory:
    • برای ذخیره سازی داده‌ها در حافظه‌های دیجیتال و فلش در حافظه‌های جانبی استفاده می‌شود.
  2. NOR Flash Memory:
    • برای ذخیره سازی برنامه‌ها در حافظه‌های فلش استفاده می‌شود.
  3. DRAM (Dynamic Random Access Memory):
    • یک نوع حافظه که برای ذخیره سازی داده‌ها در زمان اجرای برنامه‌ها استفاده می‌شود.
  4. SRAM (Static Random Access Memory):
    • حافظه سریع و پرسرعت که اطلاعات در آن تا زمانی که تغذیه برق برقرار است، حفظ می‌شود.
  5. EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory):
    • برای ذخیره سازی داده‌های دائمی در شرایطی که نوشتن مکرر الزامی است، استفاده می‌شود.
  6. FRAM (Ferroelectric RAM):
    • حافظه نوعی RAM است که ترکیب ویژگی‌های EEPROM و SRAM را داراست.
  7. MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory):
    • یک نوع حافظه نیمه هادی با قابلیت خواندن و نوشتن پایدار و بسیار سریع.
  8. Phase Change Memory (PCM):
    • از تغییر فاز مواد برای ذخیره داده‌ها استفاده می‌کند.
  9. 3D XPoint:
    • یک فناوری حافظه نیمه هادی با سرعت بالا و قابلیت ذخیره‌سازی داده‌ها به صورت دائمی.
  10. FeRAM (Ferroelectric RAM):
    • از تغییر فاز ماده فرورازی برای ذخیره داده‌ها استفاده می‌کند.

هر یک از این تکنولوژی‌ها ویژگی‌ها و کاربردهای خاص خود را دارند و در برخی از موارد یک تکنولوژی ممکن است برای نیازهای خاص بهترین گزینه باشد.

آی‌سی‌های فلش بر پایه تکنولوژی NAND یک نوع حافظه نانون‌حال یا Non-Volatile Memory (NVM) هستند که برای ذخیره سازی اطلاعات بدون نیاز به برق مداوم استفاده می‌شوند. این نوع حافظه در اندازه‌ها و حجم‌های مختلف مورد استفاده قرار می‌گیرد، از کارت‌های حافظه SD تا حافظه‌های USB و همچنین در دستگاه‌های هوشمند و حتی در حافظه داخلی برخی از رایانه‌ها.

نحوه عملکرد آی‌سی‌های فلش بر پایه تکنولوژی NAND به شکل زیر است:

  1. سلول‌های حافظه NAND:
    • حافظه NAND بر اساس یک آرایش خاص از سلول‌های حافظه به نام سلول‌های NAND عمل می‌کند. این سلول‌ها در یک گره مشترک به هم متصل شده‌اند.
  2. برنامه‌ریزی و پاکسازی (Program and Erase – P/E) سلول‌ها:
    • برای نوشتن اطلاعات در حافظه NAND، اطلاعات به صورت بلوک‌هایی در سلول‌ها نوشته می‌شوند. قبل از نوشتن یک بایت جدید، باید بلوک مربوطه پاک شود (تمام سلول‌ها به حالت اولیه باز می‌گردند) و سپس اطلاعات جدید در آن بلوک ذخیره می‌شوند.
  3. عملیات خواندن:
    • برای خواندن اطلاعات، سلول‌های حافظه با استفاده از ولتاژ‌های مختلف تحتاج به خوانده شدن. ولتاژهای مختلف به این امکان می‌دهند که بتوانیم بر اساس حالت سلول، داده را بازیابی کنیم.
  4. کنترل‌کننده (Controller):
    • آی‌سی کنترل‌کننده مسئولیت مدیریت عملیات خواندن و نوشتن بر روی حافظه را برعهده دارد. این کنترل‌کننده به عنوان واسط بین حافظه NAND و دستگاه مورد استفاده (مثلاً کارت حافظه یا یک رایانه) عمل می‌کند.
  5. مدیریت خطا:
    • به دلیل ویژگی‌های خاص حافظه NAND، امکان بروز خطا در زمان خواندن و نوشتن وجود دارد. بنابراین، آی‌سی‌های فلش معمولاً دارای الگوریتم‌های مدیریت خطا هستند که اطمینان می‌دهند که اطلاعات به صورت صحیح خوانده یا نوشته شوند.
  6. چرخه زندگی:
    • هر بلوک از حافظه NAND دارای یک چرخه زندگی محدود است، به این معنا که می‌تواند محدوده‌ای از بار خواندن و نوشتن را تحمل کند. بعد از محدوده‌ای از چرخه‌ها، بلوک ممکن است خراب شود و دیگر قابل استفاده نباشد. برای افزایش عمر مفید حافظه، تکنیک‌هایی مانند توزیع یکنواخت بارسازی (Wear Leveling) مورد استفاده قرار می‌گیرد.

به طور کلی، این عملیات‌ها و تکنولوژی‌ها باعث می‌شوند تا حافظه NAND برای استفاده در انواع دستگاه‌ها و کاربردهای مختلف، از جمله ذخیره سازی دائمی داده‌ها در دستگاه‌های الکترونیکی، بسیار مناسب باشد.

تاریخچه حافظه NAND به عنوان یک فناوری نوین در زمینه حافظه های نانون‌حال آغاز شد. در زیر تاریخچه اصلی حافظه NAND آورده شده است:

  1. دهه ۱۹۸۰: توسعه اولین حافظه‌های NAND:
    • در دهه ۱۹۸۰، ایده حافظه NAND ابتدا توسط دو مهندس ژاپنی به نام‌های Fujio Masuoka و Masanori Sakamoto در شرکت Toshiba مطرح شد. آن‌ها در سال ۱۹۸۴ اولین حافظه NAND را ایجاد کردند. این فناوری در آن زمان نسبت به حافظه‌های EPROM موجود دارای اندازه کوچکتر و قابلیت پاکسازی برنامه (Program/Erase) بیشتری بود.
  2. دهه ۱۹۹۰: انتشار تجاری حافظه NAND:
    • در دهه ۱۹۹۰، حافظه NAND به صورت تجاری عرضه شد. اولین حافظه NAND به عنوان یک محصول تجاری در سال ۱۹۸۷ توسط Toshiba با نام “NAND Type Flash Memory” معرفی شد.
  3. دهه ۲۰۰۰: رشد و توسعه:
    • در دهه ۲۰۰۰، استفاده از حافظه NAND در انواع دستگاه‌های الکترونیکی افزایش یافت. این حافظه به دلیل اندازه کوچک، سرعت بالا، و قابلیت پاکسازی برنامه از آن زمان به عنوان حافظه اصلی یا فلش در دستگاه‌های همراه، دوربین‌های دیجیتال، کارت‌های حافظه، و سایر دستگاه‌های الکترونیکی مورد استفاده قرار گرفت.
  4. دهه ۲۰۱۰: افزایش ظرفیت و کاربردها:
    • در دهه ۲۰۱۰، توسعه فناوری NAND ادامه یافت و ظرفیت آن به طور چشمگیری افزایش یافت. حافظه‌های NAND با ظرفیت‌های چندترابایتی برای استفاده در دیسک‌های حالت جامد (SSD) و حافظه‌های فلش برای دستگاه‌های هوشمند عرضه شد.
  5. در حال حاضر:
    • امروزه، حافظه NAND به عنوان یکی از اصلی‌ترین فناوری‌های حافظه برای ذخیره‌سازی دائمی در انواع دستگاه‌های الکترونیکی استفاده می‌شود. این شامل SSDها، کارت‌های حافظه، حافظه داخلی دستگاه‌های هوشمند، و حتی بخشی از حافظه RAM در برخی از دستگاه‌ها می‌شود.
مشخصات
ظرفیت حافظه

64 مگابیت

پکیج

SOIC-8

استاندارد ارتباطی

SPI

ولتاژ کاری

2.7 الی 3.6 ولت

دمای کاری

40- تا 85 درجه سانتی گراد

جریان مصرفی پاکسازی

25 میلی آمپر

جریان مصرفی پروگرام کردن

25 میلی آمپر

خازن ورودی

6 پیکوفاراد

خازن خروجی

8 پیکوفاراد

نظرات (0)
0 نقد و بررسی
0
0
0
0
0

دیدگاهها

پاکسازی فیلتر

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین نفری باشید که دیدگاهی را ارسال می کنید برای “تراشه حافظه W25Q64CV”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *