تراشه حافظه W25Q16JL

46,000 تومان

موجود

  • ظرفیت : 16 مگابیت (2 مگابایت)
  • بلاک بندی : 4K بایت در بلاک
  • ولتاژ کاری : 2.7 ~ 3.6 ولت
  • دمای کاری : 40°- ~ 85° سانتی گراد

شناسه : M251 دسته بندی ها: ,

پیشنهاد ما به شما 👇😊

تراشه حافظه W25Q16JL یک حافظه فلش NOR است که توسط کمپانی Winbond Electronics Corporation تولید می‌شود. این تراشه به عنوان یک تراشه حافظه فلش سری W25Q جزو خانواده تراشه‌های فلش NOR و 16 مگابیت (2 مگابایت) ظرفیت دارد. در ادامه، مشخصات مهم این تراشه حافظه را مرور می‌کنیم:

  1. ظرفیت: W25Q16JL دارای ظرفیت 16 مگابیت یا معادل 2 مگابایت است. این ظرفیت میزان اطلاعاتی است که می‌توان در این تراشه حافظه ذخیره کرد.
  2. نوع حافظه: این تراشه از نوع حافظه فلش NOR است. حافظه‌های فلش NOR اغلب برای ذخیره کد اجرایی (برنامه) در دستگاه‌های الکترونیکی و میکروکنترلرها استفاده می‌شوند.
  3. تحمل ولتاژ: W25Q16JL تا ولتاژ عملیاتی 3.3 ولت تحمل دارد. این به این معناست که می‌توانید این تراشه حافظه را با ولتاژ تغذیه 3.3 ولت کارانه کنید.
  4. رابط: این تراشه از رابط SPI (Serial Peripheral Interface) برای ارتباط با میکروکنترلرها یا دستگاه‌های دیگر استفاده می‌کند. رابط SPI برای انتقال داده‌ها با سرعت بالا و برنامه‌نویسی آسان شناخته می‌شود.
  5. حافظه بلاک‌بندی: تراشه W25Q16JL به صورت بلاک‌بندی شده است، که به این معناست که داده‌ها در بلاک‌های مختلف ذخیره می‌شوند و می‌توان به طور جداگانه به آنها دسترسی داشت.
  6. سرعت خواندن و نوشتن: این تراشه دارای سرعت‌های خواندن و نوشتن بالا است. سرعت‌های دقیق بستگی به شرایط عملیاتی دارند، اما معمولاً بسیار سریع عمل می‌کنند.
  7. دمای عملیاتی: محدوده دمای عملیاتی این تراشه حافظه به طور معمول از -40 درجه سانتیگراد تا +85 درجه سانتیگراد است.

تراشه حافظه W25Q16JL معمولاً در پروژه‌های الکترونیکی برای ذخیره و بازیابی اطلاعات مورد استفاده قرار می‌گیرد. برای استفاده از این تراشه، نیاز به یک رابط SPI مناسب و نرم‌افزار کنترلی مناسب دارید. همچنین، باید دقت کنید که تنظیمات و دستورات خاصی را برای خواندن و نوشتن اطلاعات در این تراشه استفاده کنید.

مشخصات عملیاتی تراشه حافظه W25Q16JL شامل موارد زیر می‌شود:

  1. ظرفیت حافظه:
    • ظرفیت: 16 مگابیت (2 مگابایت)
    • بلاک‌بندی: 4K بایت در بلاک
    • صفحه‌بندی: 256 بایت در صفحه
  2. رابط ارتباطی:
    • رابط SPI (Serial Peripheral Interface)
  3. تحمل ولتاژ:
    • ولتاژ تغذیه عملیاتی: 2.7 تا 3.6 ولت
    • ولتاژ تغذیه حداکثر: 4.0 تا 6.0 ولت
  4. سرعت خواندن و نوشتن:
    • سرعت خواندن: تا 104 مگابیت بر ثانیه (با حالت Quad SPI)
    • سرعت نوشتن: تا 104 مگابیت بر ثانیه (با حالت Quad SPI)
  5. حافظه پنهان (Cache):
    • دارای حافظه پنهان 16K بایتی
  6. دمای عملیاتی:
    • محدوده دمای عملیاتی: -40 درجه سانتیگراد تا +85 درجه سانتیگراد
  7. پاک‌سازی و پروگرم‌سازی:
    • پشتیبانی از عملیات پاک‌سازی (Erase) برای بلاک‌ها و صفحات
    • پشتیبانی از عملیات پروگرم‌سازی (Program) برای ذخیره داده‌ها
  8. حفاظت از داده:
    • پشتیبانی از حالت Write Protect برای محافظت از داده‌ها
  9. مدیریت خطا:
    • دارای مکانیزم‌های خودکار برای تشخیص و مدیریت خطاهای خواندن و نوشتن

تراشه حافظه W25Q16JL از طریق رابط SPI قابل اتصال به میکروکنترلرها و سیستم‌های دیگر است. از آن برای ذخیره و بازیابی اطلاعات در برنامه‌های الکترونیکی و میکروکنترلرها استفاده می‌شود و از سرعت و کارایی مناسبی برخوردار است. همچنین، دمای عملیاتی گسترده‌ای دارد که امکان استفاده در محیط‌های مختلف را فراهم می‌کند.

یکی از جایگزین‌های مشابه به تراشه حافظه W25Q16JL تراشه حافظه “Micron N25Q032A13ESE40F” است. این تراشه نیز دارای ظرفیت 32 مگابیت (4 مگابایت)، رابط SPI، و تحمل ولتاژ تغذیه 3.3 ولت است. همچنین، این تراشه از سرعت‌های بالای خواندن و نوشتن برخوردار است و برای ذخیره سازی داده‌ها در برنامه‌های الکترونیکی و میکروکنترلرها مناسب است.

مقایسه تراشه حافظه W25Q16JL و تراشه حافظه Micron N25Q032A13ESE40F:

  1. ظرفیت حافظه:
    • W25Q16JL: 16 مگابیت (2 مگابایت)
    • N25Q032A13ESE40F: 32 مگابیت (4 مگابایت)

    تراشه N25Q032A13ESE40F دارای ظرفیت دو برابری نسبت به W25Q16JL است که به شما امکان ذخیره بیشتر داده‌ها را می‌دهد.

  2. رابط ارتباطی:
    • هر دو تراشه از رابط SPI (Serial Peripheral Interface) برای ارتباط با میکروکنترلرها و سیستم‌های دیگر استفاده می‌کنند. این رابط معمولاً برای اتصال ساده و کارآمد به میکروکنترلرها مورد استفاده قرار می‌گیرد.
  3. تحمل ولتاژ:
    • هر دو تراشه تا ولتاژ تغذیه 3.3 ولت تحمل دارند، که مناسب برای بسیاری از برنامه‌های الکترونیکی است.
  4. سرعت خواندن و نوشتن:
    • هر دو تراشه دارای سرعت‌های بالای خواندن و نوشتن هستند، که از آنها برای انتقال داده‌ها با سرعت بالا و بهبود عملکرد سیستم‌های الکترونیکی استفاده می‌شود.
  5. حافظه پنهان (Cache):
    • واحد W25Q16JL دارای حافظه پنهان 16K بایتی است، در حالی که اطلاعات حافظه پنهان تراشه N25Q032A13ESE40F مشخص نیست. حافظه پنهان به تسریع عملیات خواندن و نوشتن کمک می‌کند.
  6. دمای عملیاتی:
    • محدوده دمای عملیاتی هر دو تراشه به طور معمول از -40 درجه سانتیگراد تا +85 درجه سانتیگراد است.
  7. پشتیبانی از حالت Write Protect:
    • هر دو تراشه از حالت Write Protect برای محافظت از داده‌ها پشتیبانی می‌کنند.
  8. کاربرد:
    • با توجه به ظرفیت بیشتر، تراشه N25Q032A13ESE40F مناسب برای کاربردهایی است که نیاز به ذخیره داده‌های بزرگتر دارند. تراشه W25Q16JL برای ظرفیت‌های کوچکتر مناسب است.

با توجه به نیازهای پروژه و ظرفیت مورد نیاز، می‌توانید یکی از این دو تراشه را انتخاب کنید. همچنین، دیتاشیت هر تراشه حاوی جزئیات دقیق‌تری در مورد عملکرد و استفاده آنهاست، لذا مطالعه دقیق دیتاشیت‌ها مفید خواهد بود.

حافظه‌های NOR و EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) یا ایپرام دو نوع حافظه‌ی نهان الکتریکی (Non-Volatile Memory) هستند که در تاریخچه حافظه‌های نهان الکتریکی نقش داشته‌اند.

تاریخچه حافظه NOR:

  • اوایل دهه 1980: توسعه حافظه NOR آغاز شد. حافظه NOR از ابتدا به عنوان یک نوع حافظه فلش نهان الکتریکی معرفی شد و در دستگاه‌هایی که به سرعت بالا و قابلیت دسترسی تصادفی (Random Access) به داده‌ها نیاز داشتند، مورد استفاده قرار گرفت.
  • در دستگاه‌های الکترونیکی: حافظه NOR در دستگاه‌های الکترونیکی مانند رایانه‌ها و میکروکنترلرها به عنوان حافظه برنامه‌ریزی (Program Memory) برای ذخیره کد اجرایی (برنامه) استفاده می‌شد. این حافظه امکان خواندن و نوشتن داده‌ها را فراهم می‌کرد.
  • سرعت بالا: حافظه NOR به دلیل سرعت بالا در خواندن داده‌ها و قابلیت دسترسی تصادفی به آنها، برای برنامه‌هایی که نیاز به اجرای سریع و بهبود عملکرد داشتند، مناسب بود.

تاریخچه حافظه EEPROM (ایپرام):

  • دهه 1970: حافظه EEPROM یا ایپرام توسط شرکت بلفیشر-پرایس (Bell Labs) به وجود آمد. EEPROM از ابتدا به عنوان یک نوع حافظه فلش نهان الکتریکی با توانایی پاکسازی الکتریکی و قابلیت نوشتن و پاکسازی داده‌ها توسط برنامه‌ریزی الکتریکی (Electric Programming) معرفی شد.
  • سال‌های بعد: با گذر زمان، EEPROM به عنوان حافظه‌های نهان الکتریکی کوچک با ظرفیت کمتر و توان مصرفی کمتر توسعه یافت. این نوع حافظه به خوبی برای ذخیره داده‌های مهم و تنظیمات کمتر حجیم مورد استفاده قرار گرفت.
  • کاربردها: حافظه EEPROM به عنوان حافظه نهان برای تنظیمات دستگاه‌ها، اطلاعات حسگرها، و داده‌های مهم در دستگاه‌های الکترونیکی کاربرد دارد. همچنین، به عنوان حافظه BIOS در کامپیوترها نیز استفاده شده است.

در اصل، حافظه NOR بیشتر برای نیازهای برنامه‌ریزی و اجرای کدها در دستگاه‌های الکترونیکی استفاده می‌شود، در حالی که حافظه EEPROM برای ذخیره داده‌های مهم و تنظیمات کمتر حجیم مناسب‌تر است. هر دو نوع حافظه نهان الکتریکی از ویژگی عدم از دست دادن داده‌ها پس از قطع برق بهره‌مندند، که این ویژگی آنها را در بسیاری از برنامه‌های الکترونیکی کاربردی می‌کند.

توضیحات تکمیلی

ولتاژ کاری

2.7 ولت

دمای کاری

40°- ~ 85° سانتی گراد

زمان اولیه

10 میلی ثانیه

خازن ورودی

6 پیکوفاراد

خازن خروجی

8 پیکوفاراد

جریان آماده به کار

10 میکروآمپر

جریان مصرفی قرائت اطلاعات

6 میلی آمپر

دیتاشیت

اولین نفری باشید که دیدگاهی را برای “تراشه حافظه W25Q16JL” ارسال می کنید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *

نقد و بررسی

هنوز نقد و بررسی ثبت نشده است.

منو اصلی