ترانزیستور 2N5460
امتیاز 4.00 از 5 امتیاز 1 مشتری
(دیدگاه کاربر 1)42,200 تومان
- نوع ترانزیستور : JFET
- ساختار : P-Channel
- ولتاژ درین – گیت : 40 ولت
- پکیج : TO-92
| تعداد | قیمت | کاستن |
|---|---|---|
| 5-10 | 41,356 تومان | 2% |
| 11-89 | 40,512 تومان | 4% |
| 90+ | 38,824 تومان | 8% |
شناسه محصول: M546 دسته:قطعات نیمه هادی,ترانزیستور
توضیحات
ترانزیستور 2N5460؛ ترانزیستور JFET کانال P پرکاربرد در مدارات الکترونیک
ترانزیستور 2N5460 یک ترانزیستور اثر میدانی با گیت اتصال PN (JFET) و کانال نوع P است که به دلیل نویز پایین، امپدانس ورودی بالا و توانایی کار در ولتاژهای نسبتاً بالا، در مدارهای تقویتکننده سیگنال، سوئیچهای آنالوگ و مدارهای ابزار دقیق استفاده میشود. این قطعه بهخصوص در کاربردهایی که نیاز به عملکرد پایدار و نویز کم دارند، بسیار محبوب است.
معرفی ترانزیستور 2N5460
این ترانزیستور از نوع P-Channel JFET است، یعنی کانال آن از نوع نیمههادی P ساخته شده و گیت آن نوع N است. ولتاژ منفی روی گیت باعث کنترل جریان عبوری بین سورس و درین میشود. این ویژگیها باعث شده 2N5460 برای سوئیچینگ سیگنالهای کوچک و تقویت سیگنالهای ضعیف گزینه مناسبی باشد.
در مداراتی که نیاز به قطع و وصل آنالوگ بدون ایجاد اعوجاج دارند، این ترانزیستور عملکرد بسیار خوبی ارائه میدهد.
ساختار و نحوه عملکرد
در 2N5460 یک کانال نوع P بین دو الکترود سورس و درین وجود دارد و گیت از جنس نیمههادی نوع N ساخته شده است. با اعمال ولتاژ منفی به گیت نسبت به سورس، میدان الکتریکی ایجاد شده و باعث کاهش پهنای کانال و محدود کردن جریان عبوری میشود.
از آنجا که JFETها دستگاههای کنترلشونده با ولتاژ هستند، جریان ورودی گیت تقریباً ناچیز است و همین ویژگی، امپدانس ورودی بسیار بالایی ایجاد میکند.
مشخصات عملیاتی ترانزیستور 2N5460
نوع: P-Channel JFET
ولتاژ درین-سورس (Vds): حداکثر 40 ولت
جریان درین (Idss): بین 1 تا 5 میلیآمپر (بسته به نمونه)
ولتاژ گیت-سورس قطع (Vgs(off)): بین -3 تا -10 ولت
توان تلفاتی (Pd): حدود 350 میلیوات
محدوده دمای کاری: از -55 تا +150 درجه سانتیگراد
بستهبندی رایج: TO-92
کاربردهای ترانزیستور 2N5460 در مدارات الکترونیک
1. سوئیچهای آنالوگ
به دلیل افت ولتاژ کم و عدم نیاز به جریان گیت، این ترانزیستور در مدارهای سوئیچینگ سیگنال کوچک بسیار کاربرد دارد.
2. تقویتکنندههای سیگنال ضعیف
در سیستمهای اندازهگیری و ابزار دقیق که سیگنال ورودی بسیار کوچک است، 2N5460 به دلیل نویز کم و امپدانس بالا عملکرد ایدهآلی دارد.
3. فیلترهای فعال و پردازش سیگنال
به دلیل خطی بودن مشخصه، در فیلترهای فعال و مدارات پردازش سیگنال صوتی و رادیویی استفاده میشود.
4. مدارات ابزار دقیق
در ولتمترها، آمپرمترهای حساس و مدارات سنجش با امپدانس ورودی بالا، این ترانزیستور نقش مهمی ایفا میکند.
5. مدارات RF و مخابراتی
با وجود اینکه کانال P است، اما در محدودههای فرکانسی متوسط تا بالا نیز میتواند عملکرد پایداری داشته باشد.
مزایای ترانزیستور 2N5460
امپدانس ورودی بسیار بالا
جریان گیت تقریباً صفر
نویز پایین در تقویت سیگنالهای ضعیف
قابلیت کنترل سیگنال بدون اعوجاج قابل توجه
عملکرد پایدار در محدوده دمایی وسیع
معایب و محدودیتها
توان تلفاتی پایین (مناسب برای مدارهای قدرتی نیست)
حساسیت به تخلیه الکترواستاتیکی (ESD)
جریان مجاز پایین نسبت به BJTها
نکات طراحی با ترانزیستور 2N5460
استفاده از مقاومت گیت برای جلوگیری از نوسان و نویز توصیه میشود.
محافظت در برابر ESD ضروری است، چون گیت JFET بسیار حساس است.
باید از ولتاژهای گیت-سورس بالاتر از مقادیر مجاز خودداری شود.
استفاده در حالتهای بایاس شده دقیق باعث افزایش طول عمر و پایداری مدار میشود.
مقایسه 2N5460 با قطعات مشابه
با 2N5457: هر دو JFET هستند، ولی 2N5460 کانال P دارد و 2N5457 کانال N است.
با MOSFET کانال P کوچک: MOSFETها میتوانند جریان بالاتری عبور دهند، اما 2N5460 از نظر نویز و خطی بودن در سیگنالهای کوچک برتری دارد.
با BJTها: 2N5460 امپدانس ورودی بالاتری دارد ولی بهره جریان (Current Gain) پایینتری نسبت به BJTها ارائه میدهد.
مشخصات کلی 2N5460:
- نوع ترانزیستور: P-channel JFET (Junction Field-Effect Transistor)
- بستهبندی (Package): TO-92 (متداول برای ترانزیستورهای کمتوان)
- کاربرد اصلی: تقویت سیگنالهای کوچک، سوئیچینگ، مدولاسیون
مشخصات الکتریکی (بر اساس دیتاشیت):
| پارامتر | مقدار | واحد |
|---|---|---|
| حداکثر ولتاژ درین-سورس (V<sub>DS</sub>) | -40 | ولت |
| حداکثر ولتاژ گیت-سورس (V<sub>GS</sub>) | ±40 | ولت |
| جریان درین (I<sub>D</sub>) | -10 | میلیآمپر |
| توان مجاز (P<sub>tot</sub>) | 310 | میلیوات |
| هدایت انتقالی (g<sub>fs</sub>) | 2000 – 6000 | میکروزیمنس |
| ولتاژ قطع گیت-سورس (V<sub>GS(off)</sub>) | -0.5 تا -6 | ولت |
| ظرفیت خازنی ورودی (C<sub>iss</sub>) | 5 | پیکوفاراد |
ویژگیهای کلیدی:
- امپدانس ورودی بالا: به دلیل ساختار JFET، ورودی با امپدانس بسیار بالا دارد (مناسب برای تقویت سیگنالهای ضعیف).
- نویز پایین: در مدارهای تقویت سیگنالهای حساس (مانند میکروفونها یا پیشتقویتکنندههای صوتی) کاربرد دارد.
- سوئیچینگ سریع: اگرچه سرعت آن به اندازه MOSFETهای مدرن نیست، ولی برای کاربردهای فرکانس پایین مناسب است.
کاربردهای متداول 2N5460:
- تقویت سیگنالهای آنالوگ:
- پیشتقویتکنندههای صوتی (Audio Preamp)
- تقویتکنندههای سیگنال در سنسورها
- سوئیچینگ:
- کنترل بارهای DC با سیگنالهای گیت
- مدارهای قطع و وصل (محدود به جریان کم)
- مدارهای مدولاسیون و دمودولاسیون:
- در برخی مدارهای رادیویی و ارتباطی
- منابع جریان ثابت:
- استفاده به عنوان منبع جریان پایدار در مدارهای آنالوگ
مقایسه با ترانزیستورهای مشابه:
- J175: P-channel JFET با مشخصات نزدیک به 2N5460.
- MPF102: N-channel JFET که معمولاً در کاربردهای مشابه ولی با پلاریته معکوس استفاده میشود.
نکات مهم در طراحی مدار:
- پلاریته ولتاژها: چون P-channel است، ولتاژ سورس باید مثبتتر از درین باشد.
- محافظت از گیت: JFETها به تخلیه الکترواستاتیک (ESD) حساسند.
- بایاسینگ: برای عملکرد خطی (مثلاً در تقویتکنندهها) باید نقطه کار مناسب انتخاب شود.
مشخصات
| VDG | 40 ولت مستقیم |
|---|---|
| VGSR | 40 ولت مستقیم |
| IG(f) | 10 میلی آمپر |
| توان توزیع | 300 میلی وات |
| دما اتصال داخلی | 65- تا 150 درجه سانتی گراد |
نظرات (1)
4
نمره 4 از 5
1 نقد و بررسی
نمره 5 از 5
0
نمره 4 از 5
1
نمره 3 از 5
0
نمره 2 از 5
0
نمره 1 از 5
0
1 دیدگاه برای ترانزیستور 2N5460
پاکسازی فیلتردیدگاه خود را بنویسید لغو پاسخ


سعید قره داغی –
ترانزیستور 2n5460